基于普通体硅衬底进行 LPCVD 和 PECVD 氮化硅 PDK 器件库开发,研发 出了覆盖 100-800nm 厚度的超低损耗 PESIN 工艺,部分器件指标如下
基于普通体硅衬底进行 LPCVD 和 PECVD 氮化硅 PDK 器件库开发,研发 出了覆盖 100-800nm 厚度的超低损耗 PESIN 工艺,部分器件指标如下:
▲200nm 氮化硅器件库
▲400nm 氮化硅器件库
